半导体设备及其制造方法
2020-01-14

半导体设备及其制造方法

本发明涉及半导体设备及其制造方法。目的是在不降低诸如有源矩阵显示设备的半导体设备中的晶体管的驱动能力的情况下减小寄生电容的电容值。此外,另一目的是以低成本提供一种其中寄生电容的电容值被减小的半导体设备。在由与晶体管的栅极电极相同的材料层形成的布线与由与源极电极或漏极电极相同的材料层形成的布线之间提供除栅极绝缘层之外的绝缘层。

【实施例9】

具有高导电性的半导体层和具有正常导电性的半导体层的膜形成条件优选地是不同的。例如,在具有高导电性的半导体层的膜形成条件中氧气与氩气的流速比小于具有正常导电性的半导体层的膜形成条件中的流速比。具体而言,在稀有气体(诸如氩气或氦气)气氛中或在包含10%或以下的氧气和90%或以上的稀有气体的气氛中形成具有高导电性的半导体层。在氧气氛中或其中氧气的流速是稀有气体的I倍或以上的气氛中形成具有正常导电性的半导体层。以这种方式,可以形成具有不同导电性的两种半导体层。

以氧化物半导体的导电性不退化的浓度向氧化物半导体添加绝缘氧化物或绝缘氮化物。

请注意,在本实施例中,采用如下的结构,即在该结构中第一布线206与第二布线218相互交叉的区域中的布线的宽度和厚度不同于其它区域中的布线的宽度和厚度;然而,所公开的本发明不限于此。而且,在电容器布线204与第二布线218的交叉区域中,可以采用类似于上述结构的结构。在这种情况下,还可以减小在电容器布线204与第二布线218的交叉区域中存在的寄生电容的电容值。

请注意,可以使用玻璃、金属(通常为不锈钢)、陶瓷、塑料等,来作为第一衬底4001和第二衬底4006。作为塑料,可以使用FRP(玻璃纤维增强塑料)衬底、PVF(聚氟乙烯)膜、聚酯膜、丙烯酸树脂膜等等。或者,可以使用具有如下结构的片材,在该结构中将铝箔夹在PVF膜之间或聚酯膜之间。

TO

通过以上步骤,根据所公开的本发明的一个实施例,可以以低成本提供在其中寄生电容的电容值减小的高性能半导体设备。

在本实施例中,依照在实施例1中描述的方法描述了用于制造有源矩阵衬底的方法;然而,所公开的本发明不限于此。可以通过在实施例2或3中描述的方法来制造有源矩阵衬底。请注意,适当时可以与任何其它实施例或实例结合地实现本实施例。

在本实施例中,可以使用包含In、Ga和Zndn2O3=Ga2O3:ZnO=1:1:1)的氧化物半导体靶通过溅射法来形成具有高导电性的半导体层181。例如,可以在以下条件下执行溅射;衬底100与靶之间的距离是30mm〜500mm;压强是0.1Pa〜2.0Pa;直流(DC)电源是0.25kW〜5.0kW;温度是20°C〜100°C;气氛是诸如氩气的稀有气体气氛、氧化气氛、或诸如氩气的稀有气体与氧化物的混合气氛。

可以将导电层116形成为具有钼膜或钛膜的单层结构。或者,可以将导电层116形成为具有叠层结构且可以具有例如,铝膜和钛膜的叠层结构。可以采用其中依次堆叠钛膜、铝膜和钛膜的三层结构。可以采用其中依次堆叠钼膜、铝膜和钼膜的三层结构。此外,可以使用含钕的铝膜(Al-Nd膜)作为用于这些叠层结构的铝膜。又或者,导电层116可以具有包含硅的铝膜的单层结构。对于导电层116的细节,可以参考实施例1中的导电层102等的细

在本实施例中,参照附图来描述用于制造半导体设备的方法的不同于上述实施例的实例。请注意,本实施例中的制造半导体设备的步骤的许多部分与在其它实施例中的那些部分相同。因此,在下文中将省略对与上述实施例相同的部分的描述并将详细描述与上述实施例不同的部分。